計算機センター特別研究プロジェクト
『結晶成長の数理』
第九回研究会 -多成分系エピタキシャル成長-

主催:学習院大学計算機センター
協賛:日本結晶成長学会基礎部門分科会
 
日 時 平成26年12月25日(木)13:30~12月26日(金)16:20まで

(25日(木)の夜に懇親会[参加費1000円]を予定)
会 場 学習院大学 南3-104教室
アクセスはこちら
参加費 無料
趣 旨 近年,計算機の発展により様々な物質について原子レベルでの結晶成長の研究が盛んに行われています。その流れのなかで個々の物質の特性を明らかにするだけではなく,個々の物質の研究から結晶成長現象に普遍的な特徴を理解することも大切です。
学習院大学計算機センターでは,「結晶成長の数理」と題した研究会を行っております。今年度は, エピタキシャル成長のその場観察に関するご講演と成長表面のシミュレーションに関するご講演をしていただき, 実験事実とシミュレーションの双方から結晶成長現象を議論をしたいと考えております。

また,一般講演としては,招待講演の内容にかかわらず広く結晶成長の基礎的な研究に関連する発表も企画しております。 研究会はあまり形式ばらずに進めたいと思います。 多くの方のご参加を期待しております。
招待講演者(敬称略) 伊藤 智徳(三重大工)
化合物半導体MBE成長への量子論的アプローチ

塚本 史郎(阿南高専)
多成分エピタキシャル成長その場原子レベル観察 -実験系から数理への期待-

入澤 寿美(学習院大)
2成分結晶成長 ―理論とシミュレーション―
講演時間 招待講演:40分程度および質問時間
一般講演:20分程度および質問時間
【講演プログラム】
12月25日(木)
13:30-13:35 入澤寿美 挨拶+テクニカルインフォメーション
13:35-14:25 入澤寿美 2成分結晶成長 ―理論とシミュレーション―
14:25-14:55 北村雅夫 キンクにおける吸脱着平衡
14:55-15:10 休憩
15:10-16:00 伊藤智徳 化合物半導体MBE成長への量子論的アプローチ
16:00-16:30 阿久津典子 Si(111)面微斜面の(7x7)-(1x1)相転移:Cabrera-Coleman型マクロステップ形成の定量的研究
16:30-16:45 休憩
16:45-17:35 塚本史郎 多成分エピタキシャル成長その場原子レベル観察 -実験系から数理への期待-
17:35-18:15 東條孝志 InAsナノ構造形成のその場STM観察及び位置制御
18:30-21:00 懇親会
 
12月26日(金)
10:00-10:30 上之和人 液膜流と結晶成長
10:30-11:00 須藤孝一 Si表面における高アスペクト比ホールの形態変化による多層空洞形成
11:00-11:30 鈴木良尚 環境相の状態変化に伴うタンパク質結晶表面カイネティックスの変化
11:30-13:00 昼休み
13:00-13:30 塩本知弘 グルコースイソメラーゼ結晶の分子取り込み過程における活性化エネルギー
13:30-14:00 中橋大道 リゾチーム存在下でのグルコースイソメラーゼ結晶のステップ前進速度と活性化エネルギー
14:00-14:30 藤原貴久 リゾチーム存在下で結晶化させたグルコースイソメラーゼ結晶のステップ前進速度
14:30-14:45 休憩
14:45-15:15 川上翔 ゲル固定化コロイド結晶を用いたフォトニックバンド/プラズモニクスハイブリッド効果による強力な電場増強効果を示すナノ構造の作製
15:15-15:45 勝野弘康 温度サイクルによるカイラル結晶のカイラル転換
15:45-16:15 佐藤正英 櫛状ステップパターンの形成と安定性
16:15-16:20 佐藤正英 挨拶
世話人(50音順) 入澤寿美(学習院大学), 上羽牧夫(名古屋大学), 勝野喜以子(成蹊大学), 勝野弘康(立命館大学), 齋藤幸夫(慶応義塾大学), 佐藤正英(金沢大学), 三浦均(名古屋市立大学), 横山悦郎(学習院大学),

※ 各種準備のため12月21日までに下記連絡先に,「氏名・所属・住所(郵便番号)・懇親会参加の有無」をメールでお送りください。
連絡先 :〒171-8588 東京都豊島区目白1-5-1
学習院大学計算機センター 事務室
E-mail : cc-off@gakushuin.ac.jp  まで
学習院大学 計算機センター