計算機センター特別研究プロジェクト
『結晶成長の数理』
第十回研究会 表面―歪み,構造,相転移―

主催:学習院大学計算機センター
協賛:日本結晶成長学会基礎部門分科会
 
日 時 2015年12月24日(木)13:30~12月25日(金)15:05

(24日(木)の夜に懇親会[参加費1000円]を予定)
会 場 学習院大学 南3-103教室
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参加費 無料
趣 旨 近年,計算機の発展により様々な物質について原子レベルでの結晶成長の研究が盛んに行われています。その流れのなかで個々の物質の特性を明らかにするだけではなく,個々の物質の研究から結晶成長現象に普遍的な特徴を理解することも大切です。そのような視点で,学習院大学計算機センターでは,「結晶成長の数理」と題した研究会を行っております。
観測技術の向上により,表面現象の精密な測定が可能になりつつあります。それにともない,これまでの理論では説明できない現象なども観察されるようになってきました。それは理論的研究の前進も引き起こしています。そこで今年度の招待講演として, 表面現象の精密な測定/観察とその理論的解釈に焦点を当てました. 量子ドット形成時の結晶歪み測定, 構造相転移に伴うステップの振る舞い, 準安定状態である疑似液体の出現/消失の3つをテーマとして最近の進展を講演していただきます.

また,一般講演として,招待講演の内容にかかわらず広く結晶成長の基礎的な研究に関連する発表も企画しております。 研究会はあまり形式ばらずに進めたいと思います。 多くの方のご参加を期待しております。
招待講演者(敬称略) 阿久津典子(大阪電気通信大)
朝岡秀人(原子力機構)
村田 憲一郎 (北海道大学)
日比野浩樹(関西学院大)
講演時間 招待講演:40分程度および質問時間
一般講演:20分程度および質問時間
【講演プログラム】
12月24日(木)
13:30-13:35 入澤寿美 挨拶+テクニカルインフォメーション
13:35-14:25 阿久津典子 ステップ・ファセティングによる成長抑制
14:25-15:15 朝岡秀人 ヘテロ成長過程の表面ストレスの解明
15:15-15:45 大鉢忠 Si(111)清浄表面の窒素原子による界面反応エピタキキシャル成長β-Si3N4
15:45-16:10 休憩
16:10-17:00 村田憲一郎 Simple view of surface melting on ice crystals
17:00-17:30 齋藤幸夫 Si(110)基板上のAu液滴:SOSモデルシミュレーション
17:30-18:00 塚本勝男 成長速度 vs 過飽和度からみた無重力での結晶成長メカニズム
18:15-21:00 懇親会
 
12月25日(金)
9:30-10:00 佐藤正英 異なる移動速度の粒子供給源が作る2つの同一周期櫛状パターンについて
10:00-10:50 日比野浩樹 二次元物質の単結晶成長へのアプローチ
10:50-11:20 鈴木良尚 沈殿剤フリーのタンパク質結晶化と構造解析
11:20-11:50 須藤孝一 タンパク質結晶のAFM観察によるタンパク質分子間相互作用の解析
11:50-13:30 昼休み
13:30-14:00 藤原貴久 リゾチーム存在下で結晶化させたグルコースイソメラーゼ結晶の成長速度
14:00-14:30 北村雅夫 法線成長速度の一般的表現
14:30-15:00 勝野弘康 結晶カイラリティ転換における不純物効果
15:00-15:05 勝野弘康 挨拶
世話人(50音順) 入澤寿美(学習院大学), 上羽牧夫(名古屋大学), 勝野喜以子(成蹊大学), 勝野弘康(立命館大学), 齋藤幸夫(慶応義塾大学), 佐藤正英(金沢大学), 三浦均(名古屋市立大学), 横山悦郎(学習院大学)