計算機センター特別研究プロジェクト
『結晶成長の数理』
第13回研究会 結晶成長とモンテカルロシミュレーション

主催:学習院大学計算機センター
協賛:日本結晶成長学会基礎部門分科会
日 時 2018年12月25日(火)13:30~12月26日(水)12:30まで

(25日(火)の夜に懇親会[参加費1000円]を予定)
会 場 学習院大学 南3-103および104
参加費 無料
趣 旨  近年,計算機の発展により様々な物質について原子レベルでの結晶成長の研究が盛んに行われています。その流れのなかで個々の物質の特性を明らかにするだけではなく,個々の物質の研究から結晶成長現象に普遍的な特徴を理解することも大切です。そのような視点で,学習院大学計算機センターでは,「結晶成長の数理」と題した研究会を行っております。

 結晶成長のシミュレーションでは,モンテカルロ法がしばしば使われています。そこで,今年度は招待講演ではモンテカルロ法を用いた結晶成長や結晶成長に関連する研究をご講演いただきます。
 また,一般講演として,招待講演の内容にかかわらず広く結晶成長の基礎的な研究に関連する発表も企画しております。研究会はあまり形式ばらずに進めたいと思います。 多くの方のご参加を期待しております。
招待講演者(敬称略) 阿久津典子(大阪電気通信大学)
堂寺知成(近畿大学)
奥村久士(分子科学研究所)
講演時間 招待講演:40分程度および質問時間
一般講演:15分程度および質問時間
【講演プログラム】
12月25日(火)
13:30-13:35 入澤寿美 挨拶+テクニカルインフォメーション
13:35-14:25 堂寺知成 ハードコア-ソフトシェル粒子系の準結晶形成
14:25-15:15 奥村久士 レプリカ置換分子動力学法の開発とアミロイドβペプチドへの応用
15:35-16:25 阿久津典子 二つの数値計算:密度行列繰り込み群法による
表面張力計算&モンテカルロ計算法による表面荒さ計算
16:25-17:05 入澤寿美 結晶成長におけるモンテカルロシミュレーション
17:20-17:40 齋藤幸夫 基板表面上の吸着島の脱濡れ
17:40-18:00 須藤 孝一 大きな曲率を持つシリコン微細構造の緩和過程
18:00-18:25 塚本勝男 A coupled dissolution and precipitation
18:30-21:30 懇親会

12月17日(日)
9:30-9:50 朝岡秀人 Si(110)-“16×2”再構成表面の異方性ひずみ
9:50-10:10 大鉢忠 良質GaN基板結晶のX線多重回折による結晶評価と極性判定
10:10-10:30 南園仁美 ポリマー添加ポリスチレン粒子性結晶を利用した結晶成長プロセスの
その場観察とテラス吸着粒子の脱離エネルギー測定
10:30-10:50 北村雅夫 固溶体のキンクカイネティック
11:05-11:25 鈴木良尚 液液相分離による沈殿剤フリーのタンパク質結晶化と構造解析
11:25-11:45 麻川明俊 ノルセサイトの溶液媒介相転移
11:45-12:05 勝野弘康 複数の成長単位を持つ系の臨界サイズ
12:05-12:10 入澤寿美 挨拶
世話人(50音順) 入澤寿美(学習院大学), 上羽牧夫(愛知工業大学), 勝野喜以子(成蹊大学), 勝野弘康(立命館大学), 齋藤幸夫(慶応義塾大学), 佐藤正英(金沢大学), 三浦均(名古屋市立大学), 横山悦郎(学習院大学)